Модули
способны передавать данные со скоростью до 3200 миллионов транзакций в
секунду, при напряжении 1,2 В. Для сравнения: скорость модулей DDR3,
изготовленных по техпроцессу 30 нм и рассчитанных на напряжение 1,35 или
1,5 В, составляет до 1600 миллионов передач. Новые модули потребляют на
40 % меньше электроэнергии, чем модули DDR3, рассчитанные на напряжение
1,5 В.
В модулях используется технология Pseudo Open Drain, позволившая уменьшить потребляемый ток вдвое по сравнению с DDR3. С
использованием новой архитектуры DDR4 может работать со скоростью от
12,8 до 25,6 Гбайт/с. Сейчас же скорость DDR3 составляет до 12,8
Гбайт/с, а DDR2 — до 6,4 Гбайт/с. Во второй половине года Samsung
в сотрудничестве с производителями серверов планирует завершить
стандартизацию DDR4 организацией JEDEC.
| 
